| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI2304BDS-T1-GE3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
||
|
SI2304BDS-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：225pF @ 15V 功率 - 最大值：750mW 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： PMIC - 稳压AP1604AWG-7 二极管，整流器 -MBR1035CT 单二极管/齐纳MMSZ5256ET1G 编码器AEDS-8001-E11 评估演示板和套件AD633-EVALZ RF 天线M620710-1K 可调功率电阻AVT50-500-10 RF FETBG5412KH6327 光纤 - 开关，多AWAP07021 接口 - 驱动器，MAX202IDG4 |
|||||